大腦儲存記憶準確位置獲證

有助揭示神經退行性疾病病理

科技日報首爾5月16日電 （記者邰舉）韓國國立首爾大學的一個研究團隊日前宣布，他們成功通過熒光蛋白質標記儲存記憶的神經元突觸，在細胞水平上確認了大腦儲存記憶的具體位置為突觸（synapse）。實驗人員可以用肉眼看到熒光標記。有關成果發表在近日的《科學》雜志上。

這是自加拿大心理學家唐納德-赫普在1949年提出“記憶儲存于突觸”假說之后，首次通過實驗獲得驗證。此前由于技術限制，該假說始終沒有得到實驗證實。

根據研究團隊介紹，此前人們已經發現海馬體在大腦記憶中起關鍵作用。在海馬體內部存在著數量龐大的神經細胞單元，每個單元可能有超過10000個突觸，通過突觸同其他神經單元連接。這些在唐納德-赫普假說中作為信息存儲體的突觸，尺寸為納米級別。

研究人員開發出一種化學檢測技術，能夠在腦神經元形成記憶時，區分超過一千個突觸。該技術能夠分別以黃色和藍色熒光標記儲存有記憶的突觸和普通突觸。在實驗中，研究人員使用病毒將綠色熒光蛋白（GFP）基因注入神經細胞，當神經元被激活并形成記憶時，熒光出現在突觸的末端。研究者修改了部分GFP基因以獲得不同顏色的熒光對突觸進行標記。

他們向實驗鼠施加電刺激，觀察突觸刺激后的變化。實驗證實，實驗鼠的神經細胞在經歷電擊之后，通過強化連接神經細胞突觸的方式儲存相關信息，以幫助實驗鼠躲避以后可能發生的電擊。研究發現，逐漸增加電擊的強度，能夠導致突觸中的樹突部分數量增加，體積增大。由此確定電擊改變了突觸的結構。

據介紹，確認腦細胞儲存記憶的具體位置，有助于揭示神經系統退行性疾病的病理。